Основные характеристики
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Продается 1 штука из блистера
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.066(typ) Ohm